★該立式磁控鍍膜生產線可鍍的工藝膜系有：金膜、銀膜、鋁膜、鈦金膜、不銹鋼膜等單質膜和氧化膜、復合膜、增透膜、增亮膜、光學膜、ITO導電膜、EMI屏蔽膜等等。設備能生產的產品有銀鏡、鋁鏡、彩色玻璃、工藝玻璃、光伏玻璃、光電玻璃、ITO導電玻璃、非導玻璃等，以及PC、PVC、PET等材料表面鍍AR、AF、ITO、非導(dao)等(deng)膜(mo)和金屬單質膜(mo)等(deng)工藝。設備主要應(ying)用在(zai)手(shou)機(ji)鏡片和手(shou)機(ji)后(hou)蓋鍍膜(mo)、電子、電器(qi)、軍(jun)工、家電、五金、玩具(ju)、汽車、建(jian)筑、建(jian)材、燈(deng)飾、裝飾等眾多行業領域。本設備的優點：抽速快及穩定、產量高、特殊的傳動結構運行平穩不卡頓（吸收進口設備精華）。高真空部分可根據客戶實際需要全選擇油擴散泵或分子泵，或兩者搭配使用；設計有防返油機構，減少對產品的污染；使用國內或國外知名品牌真空泵機組，加上人性化結構設計理念和智能控制及顯示系統，使設備盡善盡美。

★工藝(yi)氣體：氬氣、氧氣、氮氣等，具體看生(sheng)產(chan)的產(chan)品而(er)定。

★靶材材質：金、銀、銅(tong)、鋁(lv)、鈦(tai)、鋯、硅、鎳、鉻、錫、銦、鈮(ni)、不銹鋼等(deng)(deng)或錫銦、硅鋁(lv)、鎳鉻等(deng)(deng)合金。

★磁控濺射電源：直流電源、中頻電源、射頻電源、離子轟擊電源、離子源電源（按客戶需要而定）

★該立式磁控鍍膜(mo)生產線的結構：有3室(shi)4鎖(suo)、5室(shi)4鎖(suo)、5室(shi)6鎖(suo)、7室(shi)6鎖(suo)、9室(shi)8鎖(suo)。

上片(pian)(pian)平(ping)移臺（上片(pian)(pian)）-----前粗抽室（進片室、帶轟擊、粗抽真空泵機組）-----前高真空室（精抽真空泵機組）-----前過渡室-----鍍膜室1、2、3（鍍膜室的個數按工藝而定，精抽真空泵機組、磁控(kong)濺射陰(yin)極(ji)靶、氣體系統）-----后過渡室-----后高真空室（精抽真空泵機組）-----后粗抽室（粗抽真空泵機組）-----下片平移臺（下片臺）-----回流架1、2、3------連接到上片平移臺（如此循環工作）。

★該立(li)式磁控鍍膜生產線的工作(zuo)流程(cheng)：現以7室(shi)6鎖為例。

在(zai)上(shang)片(pian)平移臺(tai)處的工件架小車上(shang)掛上(shang)或貼上(shang)基片(pian)-----放氣數秒并開真空鎖1，工件架小車進入到前粗抽室后關真空鎖1并抽真空、轟擊（有時需要充入氬氣）----當抽到真空度后打開真空鎖2后工件架進入前高真空室后關真空鎖2繼續抽高真空-----達到一定真空后開鎖3并進入前過渡后關真空鎖3、工件架慢速進入鍍膜室1、2、3進行磁控濺射鍍膜(mo)工作（鍍膜(mo)真空度(du)在2×10-1Pa左右，按工藝而定）-----鍍膜結束后工走到過渡室-----開真空鎖4并進入后高真空室關真空鎖4后停留一定時間后-----開真空鎖5并進入后粗抽室后關真空鎖5、放氣數秒后開真空鎖6-----工件架進入到下片平移臺并下片臺-----下片結束后平移到回流架1，工件架從回流架1、2、3------最后送回到上片平移臺回架處-----平移臺平移到前粗抽室前真空鎖1前面停留等待上片（如此循環工作）。

★磁(ci)(ci)控(kong)(kong)濺射工作(zuo)(zuo)(zuo)原(yuan)(yuan)理：電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)在(zai)(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)場(chang)的(de)(de)(de)(de)(de)作(zuo)(zuo)(zuo)用(yong)(yong)下(xia)加速(su)(su)飛(fei)向基(ji)片的(de)(de)(de)(de)(de)過程(cheng)中與氬(ya)（氧、氮(dan)等）原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)發(fa)生碰撞，電(dian)(dian)(dian)(dian)離(li)(li)(li)出(chu)大(da)量(liang)(liang)的(de)(de)(de)(de)(de)氬(ya)（氧、氮(dan)等）離(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)和電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)，電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)飛(fei)向基(ji)片。氬(ya)離(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)在(zai)(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)場(chang)的(de)(de)(de)(de)(de)作(zuo)(zuo)(zuo)用(yong)(yong)下(xia)加速(su)(su)轟(hong)(hong)擊靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)，濺射出(chu)大(da)量(liang)(liang)的(de)(de)(de)(de)(de)靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)，呈中性(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)靶(ba)(ba)(ba)(ba)原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)（或分(fen)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)）沉積(ji)在(zai)(zai)基(ji)片上形成膜(mo)層(ceng)。二次(ci)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)在(zai)(zai)加速(su)(su)飛(fei)向基(ji)片的(de)(de)(de)(de)(de)過程(cheng)中受到磁(ci)(ci)場(chang)磁(ci)(ci)力(li)的(de)(de)(de)(de)(de)作(zuo)(zuo)(zuo)用(yong)(yong)下(xia)，被(bei)束縛在(zai)(zai)靠近靶(ba)(ba)(ba)(ba)面(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)等離(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)體區(qu)域內，該區(qu)域內等離(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)體密度很(hen)高(gao)，二次(ci)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)在(zai)(zai)磁(ci)(ci)場(chang)的(de)(de)(de)(de)(de)作(zuo)(zuo)(zuo)用(yong)(yong)下(xia)圍(wei)繞靶(ba)(ba)(ba)(ba)面(mian)(mian)作(zuo)(zuo)(zuo)圓周運動(dong)(dong)，該電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)(de)(de)(de)(de)運動(dong)(dong)路徑很(hen)長，在(zai)(zai)運動(dong)(dong)過程(cheng)中不斷的(de)(de)(de)(de)(de)與氬(ya)原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)發(fa)生碰撞電(dian)(dian)(dian)(dian)離(li)(li)(li)出(chu)大(da)量(liang)(liang)的(de)(de)(de)(de)(de)氬(ya)離(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)轟(hong)(hong)擊靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)，經過多次(ci)碰撞后電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)(de)(de)(de)(de)能量(liang)(liang)逐漸降(jiang)低，擺脫磁(ci)(ci)力(li)線的(de)(de)(de)(de)(de)束縛，遠離(li)(li)(li)靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)，最終沉積(ji)在(zai)(zai)基(ji)片上。磁(ci)(ci)控(kong)(kong)濺射就是以磁(ci)(ci)場(chang)束縛和延(yan)長電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)(de)(de)(de)(de)運動(dong)(dong)路徑，改變(bian)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)(de)(de)(de)(de)運動(dong)(dong)方向，提高(gao)工作(zuo)(zuo)(zuo)氣體的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)離(li)(li)(li)率(lv)和有效利(li)用(yong)(yong)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)(de)(de)(de)(de)能量(liang)(liang)。磁(ci)(ci)控(kong)(kong)濺射的(de)(de)(de)(de)(de)基(ji)本原(yuan)(yuan)理是利(li)用(yong)(yong) Ar一02或N2混合氣體中的(de)(de)(de)(de)(de)等離(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)體在(zai)(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)場(chang)和交變(bian)磁(ci)(ci)場(chang)的(de)(de)(de)(de)(de)作(zuo)(zuo)(zuo)用(yong)(yong)下(xia)，被(bei)加速(su)(su)的(de)(de)(de)(de)(de)高(gao)能粒子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)轟(hong)(hong)擊靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)表(biao)面(mian)(mian)，能量(liang)(liang)交換后，靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)表(biao)面(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)脫離(li)(li)(li)原(yuan)(yuan)晶格而(er)逸出(chu)，轉移到基(ji)體表(biao)面(mian)(mian)而(er)成膜(mo)。