立式磁控鍍膜生產線設備簡介

★該立式磁控鍍膜生產線可鍍的工藝膜系有：金膜、銀膜、鋁膜、鈦金膜、不銹鋼膜等單質膜和氧化膜、復合膜、增透膜、增亮膜、光學膜、ITO導電膜(mo)、EMI屏蔽膜(mo)等(deng)等(deng)。設(she)備能生產的產品有銀鏡、鋁鏡、彩色(se)玻璃、工藝玻璃、光伏玻璃、光電(dian)玻璃、ITO導電玻(bo)璃、非導玻(bo)璃等，以及PC、PVC、PET等材料表面鍍AR、AF、ITO、非導等膜和金屬單質膜等工藝。設備主要應用在(zai)手(shou)機鏡片和手(shou)機后蓋鍍膜、電子(zi)、電器、軍工、家電、五金、玩具(ju)、汽車、建筑、建材(cai)、燈飾、裝飾等眾多行業領域。本設備的優點：抽速快及穩定、產量高、特殊的傳動結構運行平穩不卡頓（吸收進口設備精華）。高真空部分可根據客戶實際需要全選擇油擴散泵或分子泵，或兩者搭配使用；設計有防返油機構，減少對產品的污染；使用國內或國外知名品牌真空泵機組，加上人性化結構設計理念和智能控制及顯示系統，使設備盡善盡美。

★工藝氣體：氬氣(qi)、氧氣(qi)、氮氣(qi)等(deng)，具(ju)體看(kan)生產(chan)的(de)產(chan)品(pin)而定。

★靶材材質：金、銀(yin)、銅(tong)、鋁、鈦、鋯(gao)、硅(gui)(gui)、鎳、鉻、錫、銦、鈮、不銹鋼等(deng)或錫銦、硅(gui)(gui)鋁、鎳鉻等(deng)合金。

★磁控濺射電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)：直流電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)、中頻(pin)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)、射頻(pin)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)、離子轟擊電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)、離子源(yuan)(yuan)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)（按(an)客戶需(xu)要而(er)定）

★該立式磁控鍍膜生產線的結構：有3室4鎖、5室4鎖、5室6鎖、7室6鎖、9室8鎖。

上片平移臺(tai)（上片）-----前粗(cu)抽(chou)室（進片室、帶轟擊、粗(cu)抽(chou)真空泵機組）-----前高(gao)真(zhen)空(kong)室(shi)（精抽真(zhen)空(kong)泵機(ji)組）-----前(qian)過渡(du)室-----鍍膜室1、2、3（鍍膜室的(de)個數按工藝而定，精抽真空泵機組、磁控濺射陰極靶、氣體系統）-----后(hou)過渡室-----后高真空室(shi)（精抽真空泵機(ji)組）-----后(hou)粗抽室（粗抽真空泵機組）-----下(xia)(xia)片(pian)平移(yi)臺(tai)(tai)（下(xia)(xia)片(pian)臺(tai)(tai)）-----回流(liu)架1、2、3------連接到上片平移(yi)臺（如此循環工作）。

★該立式磁控鍍膜生產線的工作流程：現以7室6鎖為例。

在上(shang)片(pian)平移臺處的工(gong)件架小車上(shang)掛上(shang)或貼(tie)上(shang)基片(pian)-----放氣數秒并開真空鎖1，工件架小車進(jin)入到(dao)前(qian)粗(cu)抽室后關真空鎖1并抽真空、轟擊（有時需要充入氬(ya)氣）----當抽到(dao)真空(kong)度后(hou)打開真空(kong)鎖2后工件架進入前高真空(kong)室(shi)后關(guan)真空(kong)鎖2繼續抽高真空(kong)-----達到(dao)一(yi)定真空后開(kai)鎖3并(bing)進入前過渡后關(guan)真空(kong)鎖3、工件架慢(man)速進入鍍(du)膜室1、2、3進行磁控濺(jian)射鍍膜工作（鍍膜真空度在2×10-1Pa左右，按工(gong)藝而定）-----鍍(du)膜結束后(hou)工走到過渡室(shi)-----開真空(kong)鎖4并進入后高(gao)真(zhen)空室關真(zhen)空鎖(suo)4后(hou)停留一定(ding)時間后(hou)-----開真空鎖(suo)5并進入(ru)后粗抽室后關真空鎖5、放氣數秒(miao)后開真空鎖6-----工件架(jia)進入到下片(pian)平移臺(tai)并(bing)下片(pian)臺(tai)-----下片結束后平(ping)移到回流(liu)架1，工(gong)件(jian)架(jia)從回(hui)流架(jia)1、2、3------最后送回到上(shang)片(pian)平移臺(tai)回架(jia)處-----平移臺平移到前(qian)粗抽室前(qian)真空鎖1前面停(ting)留(liu)等待上片（如此循環工作）。

★磁控濺射工作原理：電(dian)子在電(dian)場的(de)作用(yong)下加速飛向基片的(de)過程(cheng)中與氬（氧、氮等）原子發生碰撞，電離出大量的氬（氧、氮等）離子(zi)(zi)和電(dian)(dian)子(zi)(zi)，電(dian)(dian)子(zi)(zi)飛向基片(pian)。氬離子(zi)(zi)在電(dian)(dian)場的作用下加速(su)轟(hong)擊(ji)靶(ba)材，濺(jian)射出大量的靶(ba)材原子(zi)(zi)，呈中(zhong)性的靶(ba)原子(zi)(zi)（或分子(zi)(zi)）沉積在基片(pian)上形成(cheng)膜層。二次電子在加(jia)速飛(fei)向(xiang)基片的過程中受到磁場磁力的作(zuo)用(yong)下，被(bei)束縛在靠近靶(ba)面的(de)(de)(de)等(deng)(deng)離(li)(li)(li)子(zi)(zi)體區域內(nei)，該區域內(nei)等(deng)(deng)離(li)(li)(li)子(zi)(zi)體密度很(hen)高，二(er)次電子(zi)(zi)在磁(ci)(ci)場的(de)(de)(de)作用(yong)下圍繞(rao)靶(ba)面作圓周運(yun)(yun)動，該電子(zi)(zi)的(de)(de)(de)運(yun)(yun)動路徑(jing)很(hen)長(chang)，在運(yun)(yun)動過程中不(bu)斷的(de)(de)(de)與氬原子(zi)(zi)發生碰(peng)撞電離(li)(li)(li)出大量的(de)(de)(de)氬離(li)(li)(li)子(zi)(zi)轟擊靶(ba)材，經過多(duo)次碰(peng)撞后(hou)電子(zi)(zi)的(de)(de)(de)能量逐漸降低，擺脫磁(ci)(ci)力(li)線的(de)(de)(de)束縛，遠(yuan)離(li)(li)(li)靶(ba)材，最終沉積在基片上。磁(ci)(ci)控(kong)濺射就是以磁(ci)(ci)場束縛和延長(chang)電子(zi)(zi)的(de)(de)(de)運(yun)(yun)動路徑(jing)，改變電子(zi)(zi)的(de)(de)(de)運(yun)(yun)動方向，提(ti)高工作氣體的(de)(de)(de)電離(li)(li)(li)率(lv)和有效利用(yong)電子(zi)(zi)的(de)(de)(de)能量。磁(ci)(ci)控(kong)濺射的(de)(de)(de)基本原理是利用(yong) Ar一02或N2混合氣體(ti)(ti)中的等離(li)子(zi)體(ti)(ti)在(zai)電場和交變磁場的作用(yong)下，被加速(su)的高(gao)能粒子(zi)轟擊靶材表(biao)面(mian)，能量交換(huan)后，靶材表(biao)面(mian)的原子(zi)脫離(li)原晶格而(er)逸(yi)出，轉(zhuan)移到基(ji)體(ti)(ti)表(biao)面(mian)而(er)成膜。