★該臥式磁控鍍膜生產線可鍍的工藝膜系有：金膜、銀膜、鋁膜、鈦金膜、不銹鋼膜等單質膜和氧化膜、復合膜、增透膜、增亮膜、光學膜、ITO導電膜、EMI屏蔽膜等等。設備能生產的產品有銀鏡、鋁鏡、彩色玻璃、工藝玻璃、光伏玻璃、光電玻璃、ITO導電玻璃、非導玻璃等，以及PC、PVC、PET等材料表面鍍AR、AF、ITO、非導等膜和金屬單(dan)質膜等工藝。設備主要應用在(zai)手(shou)機(ji)鏡(jing)片和(he)手(shou)機(ji)后蓋鍍膜、電子、電器、軍(jun)工(gong)、家電、五金(jin)、玩具、汽(qi)車、建(jian)筑、建(jian)材(cai)、燈(deng)飾、裝飾等眾多行業領域。本設備的優點：抽速快及穩定、產量高、特殊的傳動結構運行平穩不卡頓（吸收進口設備精華）。高真空部分可根據客戶實際需要全選擇油擴散泵或分子泵，或兩者搭配使用；設計有防返油機構，減少對產品的污染；使用國內或國外知名品牌真空泵機組，加上人性化結構設計理念和智能控制及顯示系統，使設備盡善盡美。

★工藝氣體：氬氣、氧氣、氮(dan)氣等，具體看生(sheng)產(chan)(chan)的產(chan)(chan)品而定。

★靶材(cai)材(cai)質：金(jin)、銀、銅、鋁(lv)、鈦、鋯、硅、鎳、鉻、錫、銦(yin)、鈮、不銹鋼等(deng)或錫銦(yin)、硅鋁(lv)、鎳鉻等(deng)合金(jin)。

★磁控濺射電源(yuan)(yuan)：直流電源(yuan)(yuan)、中頻電源(yuan)(yuan)、射頻電源(yuan)(yuan)、離子轟(hong)擊(ji)電源(yuan)(yuan)、離子源(yuan)(yuan)電源(yuan)(yuan)（按(an)客戶需要而定）

★該磁控鍍膜生(sheng)產線的結構：有3室4鎖、5室4鎖、5室6鎖、7室6鎖、9室8鎖。

進片平臺-----前(qian)粗抽室（進片室，粗抽真(zhen)空(kong)泵機(ji)組(zu)）-----前(qian)高真(zhen)空(kong)室（精抽真(zhen)空(kong)泵機(ji)組(zu)）-----前(qian)過渡室-----鍍(du)膜室1、2、3（鍍(du)膜室的個(ge)數按工藝而定(ding)，精抽真(zhen)空(kong)泵機(ji)組(zu)、磁控濺射陰(yin)極靶、氣(qi)體系統）-----后過(guo)渡(du)室-----后高真空(kong)室（精抽真空(kong)泵機組）-----后粗抽室（粗抽真空(kong)泵機組）-----出片平臺（如此循環(huan)工作）。

★該磁控(kong)鍍膜生產(chan)線的(de)工作流(liu)程：有3室4鎖(suo)、5室6鎖(suo)、7室6鎖(suo)、9室8鎖(suo)，現(xian)以7室6鎖(suo)為例。

玻璃從清洗機出來進入進片平臺-----前粗抽室放氣數秒并開真空鎖1，玻璃進入前粗抽室到位后關真空鎖1并抽真空（如有轟擊開轟擊，有時需要充入氬氣）-----打開真空鎖2后玻璃進入前高真空室后關真空鎖2繼續抽高真空-----達到一定真空后開鎖3并進入前過渡后關真空鎖3、工件架慢速進入鍍膜室1、2、3進行磁控濺射鍍膜工(gong)作（鍍膜真(zhen)(zhen)空度(du)在2×10-1Pa左右(you)，按工(gong)藝而定(ding)）-----鍍膜結(jie)束(shu)后(hou)(hou)(hou)(hou)到(dao)(dao)玻璃走(zou)(zou)到(dao)(dao)過渡(du)室-----開(kai)真(zhen)(zhen)空鎖(suo)4并進入后(hou)(hou)(hou)(hou)高真(zhen)(zhen)空室關真(zhen)(zhen)空鎖(suo)4后(hou)(hou)(hou)(hou)停留一(yi)定(ding)時間后(hou)(hou)(hou)(hou)-----開(kai)真(zhen)(zhen)空鎖(suo)5并進入后(hou)(hou)(hou)(hou)粗抽室后(hou)(hou)(hou)(hou)關真(zhen)(zhen)空鎖(suo)5、放(fang)氣數秒后(hou)(hou)(hou)(hou)開(kai)真(zhen)(zhen)空鎖(suo)6-----玻璃走(zou)(zou)到(dao)(dao)出片(pian)臺后(hou)(hou)(hou)(hou)關閉真(zhen)(zhen)空鎖(suo)6-----直接下片(pian)或走(zou)(zou)到(dao)(dao)下一(yi)個工(gong)序（如此循環工(gong)作）。

★磁控濺射工作(zuo)原理：電子在電場的(de)作用(yong)下(xia)加速(su)飛向基(ji)片的(de)過(guo)程中與(yu)氬（氧、氮(dan)等）原(yuan)子(zi)發生(sheng)碰撞，電離出大量的氬（氧、氮等）離(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)和電子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)，電子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)飛向基片(pian)。氬離(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)在電場的(de)作(zuo)用下加速轟擊靶(ba)材，濺射(she)出(chu)大量的(de)靶(ba)材原子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)，呈(cheng)中性(xing)的(de)靶(ba)原子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)（或分子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)）沉(chen)積在基片(pian)上形成膜層。二次電子在加(jia)速(su)飛向基(ji)片的過程中受到磁(ci)(ci)場磁(ci)(ci)力的作用下，被束縛(fu)在靠近靶(ba)面的(de)(de)(de)等離子(zi)體區(qu)域(yu)內，該區(qu)域(yu)內等離子(zi)體密度很高，二次電(dian)子(zi)在磁(ci)場(chang)的(de)(de)(de)作用下圍繞(rao)靶(ba)面作圓周(zhou)運動(dong)(dong)，該電(dian)子(zi)的(de)(de)(de)運動(dong)(dong)路(lu)徑(jing)很長(chang)，在運動(dong)(dong)過程中不(bu)斷(duan)的(de)(de)(de)與氬(ya)原(yuan)子(zi)發生碰撞電(dian)離出(chu)大量的(de)(de)(de)氬(ya)離子(zi)轟擊靶(ba)材，經過多次碰撞后電(dian)子(zi)的(de)(de)(de)能量逐漸降低，擺脫磁(ci)力線(xian)的(de)(de)(de)束縛(fu)，遠離靶(ba)材，最終(zhong)沉(chen)積在基片上(shang)。磁(ci)控(kong)(kong)濺射(she)就是以磁(ci)場(chang)束縛(fu)和(he)(he)延長(chang)電(dian)子(zi)的(de)(de)(de)運動(dong)(dong)路(lu)徑(jing)，改(gai)變電(dian)子(zi)的(de)(de)(de)運動(dong)(dong)方(fang)向，提(ti)高工作氣體的(de)(de)(de)電(dian)離率(lv)和(he)(he)有效利用電(dian)子(zi)的(de)(de)(de)能量。磁(ci)控(kong)(kong)濺射(she)的(de)(de)(de)基本(ben)原(yuan)理是利用 Ar一02或N2混合氣體中的等離子(zi)(zi)體在電場(chang)和交變磁場(chang)的作用(yong)下，被加(jia)速(su)的高能(neng)粒(li)子(zi)(zi)轟擊靶(ba)材(cai)表面(mian)，能(neng)量交換(huan)后，靶(ba)材(cai)表面(mian)的原子(zi)(zi)脫離原晶(jing)格(ge)而(er)逸出(chu)，轉移(yi)到基體表面(mian)而(er)成膜。