臥式磁控鍍膜生產線設備簡介

★該臥式磁控鍍膜生產線可鍍的工藝膜系有：金膜、銀膜、鋁膜、鈦金膜、不銹鋼膜等單質膜和氧化膜、復合膜、增透膜、增亮膜、光學膜、ITO導電膜(mo)、EMI屏蔽(bi)膜等等。設備能生(sheng)產(chan)的產(chan)品有銀鏡(jing)、鋁鏡(jing)、彩色玻(bo)璃、工藝玻(bo)璃、光(guang)伏玻(bo)璃、光(guang)電玻(bo)璃、ITO導(dao)電玻(bo)璃、非導(dao)玻(bo)璃等(deng)，以及(ji)PC、PVC、PET等材料表面鍍AR、AF、ITO、非導(dao)等膜和(he)金屬單質(zhi)膜等工藝。設備主要(yao)應用(yong)在(zai)手機鏡片和(he)手機后蓋鍍膜(mo)、電(dian)子、電(dian)器、軍工、家(jia)電(dian)、五金、玩具、汽車、建筑、建材、燈飾、裝飾等眾多行業領域。本設備的優點：抽速快及穩定、產量高、特殊的傳動結構運行平穩不卡頓（吸收進口設備精華）。高真空部分可根據客戶實際需要全選擇油擴散泵或分子泵，或兩者搭配使用；設計有防返油機構，減少對產品的污染；使用國內或國外知名品牌真空泵機組，加上人性化結構設計理念和智能控制及顯示系統，使設備盡善盡美。

★工(gong)藝氣體(ti)：氬氣(qi)、氧(yang)氣(qi)、氮氣(qi)等(deng)，具體看生產(chan)的(de)產(chan)品而定。

★靶材(cai)材(cai)質：金(jin)(jin)、銀、銅、鋁、鈦、鋯、硅、鎳、鉻、錫(xi)、銦、鈮(ni)、不(bu)銹鋼(gang)等或錫(xi)銦、硅鋁、鎳鉻等合(he)金(jin)(jin)。

★磁控濺射電(dian)源(yuan)：直流電(dian)源(yuan)、中頻電(dian)源(yuan)、射頻電(dian)源(yuan)、離子轟(hong)擊電(dian)源(yuan)、離子源(yuan)電(dian)源(yuan)（按(an)客戶(hu)需要而定）

★該立式磁控鍍膜生產線的結構：有3室4鎖(suo)、5室4鎖、5室6鎖、7室6鎖、9室8鎖。

進片平臺-----前粗抽室（進片(pian)室，粗抽真空泵機組）-----前高真空室(shi)（精抽真空泵機組）-----前過渡室(shi)-----鍍膜室1、2、3（鍍膜室的(de)個數按工藝而定(ding)，精抽真空泵機組(zu)、磁(ci)控濺射陰極靶、氣體系(xi)統）-----后過渡室-----后高真空(kong)室（精抽真空(kong)泵機組）-----后粗(cu)抽(chou)室(shi)（粗(cu)抽(chou)真空泵機組）-----出片平臺(tai)（如此(ci)循環工(gong)作）。

★該立式磁控鍍膜生產線的工作流程：有3室4鎖、5室6鎖、7室6鎖、9室(shi)8鎖，現(xian)以7室6鎖(suo)為例。

玻璃從清洗機出來進入進片平臺-----前粗(cu)抽室(shi)放氣數秒并開真(zhen)空鎖(suo)1，玻(bo)璃進入前(qian)粗(cu)抽室到位后關真空鎖1并抽真空(kong)（如有轟擊開(kai)轟擊，有時需要充入氬(ya)氣）-----打開真空鎖2后(hou)玻(bo)璃進入前高真空(kong)室(shi)后(hou)關真空(kong)鎖2繼續抽高真空-----達到一(yi)定真空后開鎖3并進入前過渡后(hou)關(guan)真(zhen)空鎖3、工件架慢速(su)進入鍍膜(mo)室1、2、3進行(xing)磁控濺射鍍膜(mo)工(gong)作（鍍膜(mo)真空(kong)度在2×10-1Pa左右，按工藝而定(ding)）-----鍍膜結束后到(dao)玻璃走到(dao)過渡室-----開真(zhen)空鎖4并進入(ru)后高真(zhen)空室(shi)關(guan)真(zhen)空鎖4后停留一定時間后-----開真空鎖5并進入后粗抽室后關真空鎖5、放(fang)氣數(shu)秒后開真(zhen)空鎖6-----玻璃走到(dao)出片(pian)臺后關閉真空鎖6-----直接下(xia)(xia)片或(huo)走(zou)到下(xia)(xia)一個工(gong)序（如此循環工(gong)作）。

★磁(ci)控濺射工(gong)作(zuo)原理：電(dian)子在(zai)電(dian)場的作用下加速飛向基片(pian)的過程中與氬（氧、氮等）原子發生碰撞，電(dian)離(li)出(chu)大量的(de)氬(ya)（氧、氮等）離(li)子(zi)(zi)(zi)和電子(zi)(zi)(zi)，電子(zi)(zi)(zi)飛(fei)向基片(pian)。氬離(li)子(zi)(zi)(zi)在電場(chang)的作用(yong)下(xia)加(jia)速轟擊靶材(cai)，濺射出大(da)量(liang)的靶材(cai)原子(zi)(zi)(zi)，呈中性(xing)的靶原子(zi)(zi)(zi)（或分(fen)子(zi)(zi)(zi)）沉積在基片(pian)上形成(cheng)膜層。二次電(dian)子在加速飛(fei)向基片的過程中受到磁場磁力的作用下，被束(shu)縛(fu)在靠(kao)近(jin)靶面的(de)等(deng)離子(zi)(zi)(zi)體(ti)區域內(nei)，該(gai)區域內(nei)等(deng)離子(zi)(zi)(zi)體(ti)密度很高，二次(ci)電(dian)子(zi)(zi)(zi)在磁場的(de)作用下圍繞靶面作圓周運(yun)(yun)動(dong)，該(gai)電(dian)子(zi)(zi)(zi)的(de)運(yun)(yun)動(dong)路(lu)徑(jing)很長(chang)，在運(yun)(yun)動(dong)過(guo)程中(zhong)不斷的(de)與氬原(yuan)子(zi)(zi)(zi)發(fa)生碰撞(zhuang)電(dian)離出大量(liang)的(de)氬離子(zi)(zi)(zi)轟擊靶材，經過(guo)多次(ci)碰撞(zhuang)后電(dian)子(zi)(zi)(zi)的(de)能量(liang)逐(zhu)漸降低，擺脫(tuo)磁力線的(de)束(shu)縛(fu)，遠離靶材，最終(zhong)沉(chen)積在基(ji)片(pian)上。磁控濺射就(jiu)是(shi)以磁場束(shu)縛(fu)和(he)延(yan)長(chang)電(dian)子(zi)(zi)(zi)的(de)運(yun)(yun)動(dong)路(lu)徑(jing)，改變(bian)電(dian)子(zi)(zi)(zi)的(de)運(yun)(yun)動(dong)方向，提高工作氣體(ti)的(de)電(dian)離率(lv)和(he)有效利(li)用電(dian)子(zi)(zi)(zi)的(de)能量(liang)。磁控濺射的(de)基(ji)本原(yuan)理是(shi)利(li)用 Ar一02或(huo)N2混合氣(qi)體中的(de)(de)等(deng)離子體在電場(chang)和(he)交變(bian)磁(ci)場(chang)的(de)(de)作用下，被加速的(de)(de)高(gao)能(neng)粒子轟擊靶(ba)材表面(mian)，能(neng)量交換后，靶(ba)材表面(mian)的(de)(de)原子脫離原晶(jing)格而(er)逸出，轉移(yi)到(dao)基(ji)體表面(mian)而(er)成膜(mo)。